专利详情

专利名称	集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法
申请号	CN201110066088.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102683585A	公开（授权）日	2012.09.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	吕杭炳;刘明;龙世兵;刘琦;王艳花;牛洁斌
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I
专利有效期	集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法至集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及微电子技术领域，具体是一种集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法，该方法包括：在常规CMOS工艺完成前段工艺至钨栓塞形成后，沉积金属层间介质层；之后将存储阵列部分钨栓塞上方的介质层打开，形成与钨栓塞部分错开的孔洞，露出一部分钨栓塞；随后生长金属氧化物功能材料、电极材料、扩散阻挡层、仔晶铜以及电镀铜，最后用化学机械抛光形成存储单元。本发明方法可以实现突破常规光刻工艺的器件尺寸，且有助于固定电阻存储器导电细丝的形成位置，增强器件的均一性。