专利详情

专利名称	一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法
申请号	CN201210165018.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102683217A	公开（授权）日	2012.09.19
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈静;余涛;罗杰馨;伍青青;柴展
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法至一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法，属于微电子与固体电子领域，该方法包括：在单晶硅衬底上生长一层高质量的SiO2，然后在该SiO2层上旋涂一层高聚物作为制备石墨烯的碳源；再在高聚物上淀积一层催化金属，通过高温退火，在所述SiO2层和催化金属层的交界面处形成有石墨烯；利用光刻技术及刻蚀工艺，在所述催化金属层上开窗并形成晶体管的源极和漏极；利用原子沉积系统在开窗区沉积一层高K薄膜，然后在该高K薄膜上方制备前金属栅，最后在Si衬底的背面制备金属背栅极，最终形成基于石墨烯沟道材料和高K栅介质的双栅MOSFET器件。