光刻仿真的方法及装置
- 申请号：CN201210126228.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102681361A
- 公开(公开)日：2012.09.19
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 光刻仿真的方法及装置 | ||
| 申请号 | CN201210126228.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102681361A | 公开（授权）日 | 2012.09.19 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈岚;李志刚;吴玉平 |
| 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I |
| 专利有效期 | 光刻仿真的方法及装置 至光刻仿真的方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种光刻仿真的方法及装置。该方法包括：将物理版图内的掩膜图形划分为若干个待仿真区域；在若干个待仿真区域中搜索具有几何同构关系的待仿真区域，搜索获取的具有几何同构关系的多个待仿真区域构成区域同构序列；对若干区域同构序列中的每一个区域同构序列，以图形同构方式合并光刻仿真任务，获得光刻仿真结果。本发明光刻仿真方法及装置中，利用区域光刻仿真数据的复用可以有效地减少复杂的仿真计算任务，在不牺牲仿真精度的条件下提高芯片整体光刻仿真速度。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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过户资料
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