减小半导体器件中LER的方法及半导体器件
- 申请号：CN200910244517.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
- 公开(公开)号：CN102117737A
- 公开(公开)日：2011.07.06
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 减小半导体器件中LER的方法及半导体器件 | ||
| 申请号 | CN200910244517.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102117737A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 |
| 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
| 专利有效期 | 减小半导体器件中LER的方法及半导体器件 至减小半导体器件中LER的方法及半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种减小半导体器件中LER的方法及半导体器件。具体地，根据本发明的实施例，该方法包括：对器件中特征的边缘进行离子轰击，以减小其LER。由此，可以有效减小由LER导致的器件性能恶化。 | ||
交易流程
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