专利详情

专利名称	一种半导体器件及其制造方法
申请号	CN201110066371.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102683209A	公开（授权）日	2012.09.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;骆志炯;朱慧珑
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I
专利有效期	一种半导体器件及其制造方法至一种半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有石墨烯层或碳纳米管层；在所述石墨烯层或碳纳米管层上形成栅极结构后，暴露部分所述石墨烯层或碳纳米管层，所述栅极结构包括栅堆叠、侧墙和帽层，所述帽层位于所述栅堆叠上，所述侧墙环绕所述栅堆叠和所述帽层；在暴露的所述石墨烯层或碳纳米管层上外延生长半导体层；在所述半导体层上形成金属接触层。通过在石墨烯层或碳纳米管层上形成半导体层，继而在所述半导体层上形成金属接触层，以替代直接利用石墨烯层或碳纳米管层材料形成金属接触层，利于形成自对准的源漏接触塞。