专利详情

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN200910244133.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102110612A	公开（授权）日	2011.06.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	发明（设计）人	朱慧珑;骆志炯;尹海洲
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其制造方法至半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，通过具有相对于衬底上表面凹进的侧壁的源极区、漏极区的N-FET晶体管，并且直接在该源极区、漏极区上方的接触孔中形成具有拉应力性质的材料，从而在保证N-FET晶体管沟道改善性能的同时对沟道区施加拉应力。而后去除N-FET晶体管的栅堆叠中的伪栅极层，以使栅堆叠对沟道区的反作用力进一步减小，从而提高沟道区域的拉应力，提高载流子的迁移率，改善器件的性能。本发明能够显著改善具有较小沟道区尺寸的半导体器件的性能。