专利详情

专利名称	一种薄膜太阳能电池衬底的剥离转移方法
申请号	CN201110054031.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102157623A	公开（授权）日	2011.08.17
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	殷志珍;黄寓洋;崔国新;张宇翔;冯成义;李文;张耀辉
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I
专利有效期	一种薄膜太阳能电池衬底的剥离转移方法至一种薄膜太阳能电池衬底的剥离转移方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种薄膜太阳能电池衬底的剥离转移技术，其具体步骤如下：首先在硬性衬底上沉积生长出一腐蚀牺牲层；然后在已生长好的腐蚀牺牲层上沉积生长出太阳能电池层；在太阳能电池层上加热黑蜡融化并自然冷凝至常温后固定在太阳能电池层表面形成支撑层，将带有支撑层的太阳能电池层置于选择性腐蚀液在常温下浸泡6-8小时，使太阳能电池层与硬性衬底之间的腐蚀牺牲层被完全腐蚀去除；从硬性衬底中剥离的太阳能电池层在支撑层的作用下，转移并固定至柔性衬底上；最后采用溶解剂把固定于太阳能电池层表面的支撑层溶解去除。本发明实现太阳能电池的轻量化和柔性化，扩大了薄膜太阳能电池的应用范围。