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一种硅藻样品分层氟化的分析方法

  • 申请号:CN201010244436.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院地质与地球物理研究所
  • 公开(公开)号:CN102156163A
  • 公开(公开)日:2011.08.17
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种硅藻样品分层氟化的分析方法
申请号 CN201010244436.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102156163A 公开(授权)日 2011.08.17
申请(专利权)人 中国科学院地质与地球物理研究所 发明(设计)人 李铁军;李洪伟;冯连君;张福松;霍卫国
主分类号 G01N27/62(2006.01)I IPC主分类号 G01N27/62(2006.01)I;G01N1/28(2006.01)I
专利有效期 一种硅藻样品分层氟化的分析方法 至一种硅藻样品分层氟化的分析方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供了一种硅藻样品分层氟化的分析方法,包括:(1)将所述硅藻样品颗粒的表层氧去除掉;(2)在真空条件下,用氟化剂对去除了表层氧的硅藻样品颗粒进行完全氟化;(3)将完全氟化生成的O2转化成CO2,并将CO2进行质谱分析,以得到硅藻样品的δ18O‰值,将所述硅藻样品的表层氧去除掉的方法包括:在真空条件下,用氟化剂对硅藻样品颗粒进行预氟化,以硅藻样品颗粒中的二氧化硅计,相对于100摩尔的二氧化硅,预氟化所用氟化剂的用量为40-60摩尔。本发明提供的分析方法能够有效地将硅藻样品颗粒的表层氧去除掉,并且无需额外的设备,在有效地获得特征氧同位素信息的情况下,也大大地拓展了硅藻氧同位素分析法的应用范围。

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