专利详情

专利名称	一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法
申请号	CN201010561021.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102115878A	公开（授权）日	2011.07.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心	发明（设计）人	刘键;饶志鹏;夏洋;石莎莉
主分类号	C23C16/36(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/36(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I
专利有效期	一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法至一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷，所述重氮甲烷在硅衬底表面进行化学吸附；所述的重氮甲烷与通入的气态碘单质发生卤代反应，形成不稳定的碳碘键；所述卤代反应停止后，再通入氨气继续进行胺化反应，所述碳碘键中的碘原子被氨气中的氮原子取代；所述胺化反应结束后，硅衬底表面所形成的物质即为单晶立方型氮化碳薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备单晶立方型氮化碳薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，更加有利于碳、氮原子的沉积和氮化碳薄膜的生长，且制得的氮化碳薄膜结构完整。