专利详情

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN200910244514.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102117828A	公开（授权）日	2011.07.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;尹海洲;骆志炯;梁擎擎
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其制造方法至半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括在半导体衬底上方的半导体材料层中形成的半导体材料的鳍片，所述鳍片包括垂直于半导体衬底表面的两个相对侧面；紧邻鳍片的两端设置半导体衬底中的源区和漏区，所述鳍片桥接所述源区和漏区；设置在鳍片的中间部分的沟道区；以及设置在鳍片的一个侧面上的栅极电介质和栅极的叠层，所述栅极与所述沟道区之间由所述栅极电介质隔离，其中，所述栅极电介质和栅极的叠层沿着平行于所述半导体衬底表面的方向背离所述鳍片的所述一个侧面延伸，并且与半导体衬底之间由绝缘层隔离。所述半导体器件减小了短沟道效应，并且减小了寄生电容和寄生电阻，从而有利于晶体管尺寸缩小和提高晶体管性能。