专利详情

专利名称	一种用冗余金属填充实现版图密度均匀化的预处理方法
申请号	CN200910312877.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102117348A	公开（授权）日	2011.07.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	周隽雄;陈岚;阮文彪;李志刚;杨飞;王强;叶甜春
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	一种用冗余金属填充实现版图密度均匀化的预处理方法至一种用冗余金属填充实现版图密度均匀化的预处理方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种用冗余金属填充实现版图密度均匀化的预处理方法，属于集成电路制造工艺和版图设计技术领域。本发明提供的方法通过预设分块密度下限和预设允许密度波动值，并将版图划分等大小的分块，然后利用设计规则检查工具决定每个分块的密度。首先将每个分块密度调整到密度下限以上，再通过将每一分块的密度与周围相邻分块密度差限制在预设允许波动值范围以内，从而减小了不同分块之间的密度差异，提高版图上金属线密度的均匀性，实现更好的平整性，提高了芯片质量。