专利详情

专利名称	晶体管及其制造方法
申请号	CN200910249095.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102117831A	公开（授权）日	2011.07.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;骆志炯;朱慧珑
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	晶体管及其制造方法至晶体管及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明为一种晶体管，其包括具有沟道区的基底；位于该基底沟道区两端的源区和漏区；界于所述源区和漏区之间的该沟道区上方基底顶层的栅极高K介质层；位于该栅极高K介质层下面的界面层，该界面层第一部分靠近源极，第二部分靠近漏极，且第一部分的等效氧化层厚度大于第二层。非对称替代的金属栅形成非对称界面层，在漏极侧较薄而在源极侧较厚。在较薄的漏极侧，短沟道效应比较重要，非对称的界面层有利于控制短沟道效应；在较厚的源极侧，载流子迁移率对器件影响较大，非对称的界面层可以避免载流子迁移速率下降。此外，非对称替代的金属栅也可以形成非对称的金属功函数。