专利详情

专利名称	一种存储器读出电路
申请号	CN200910244518.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102117644A	公开（授权）日	2011.07.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王琴;柳江;刘明
主分类号	G11C7/12(2006.01)I	IPC主分类号	G11C7/12(2006.01)I
专利有效期	一种存储器读出电路至一种存储器读出电路	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种存储器读出电路，包括偏置电路、预充电路、译码电路、存储阵列、钳位电路、第一晶体管、第二晶体管、比较器、电流倍增电路、电流参考电路和电流源电路；其中，偏置电路与电流源电路串联，译码电路与存储阵列串联后与所述预充电路并联形成第一节点，钳位电路与第一晶体管串联后连接到第一节点；电流参考电路与第二晶体管并联形成第二节点；电流倍增电路的输入端连接于第一晶体管和第二晶体管的栅极，输出端连接于比较器的输入端。利用本发明，解决了传统读出电路中钳位管限制预充电流的瓶颈，加快了预充速度，实现了低电源电压下高速、低损耗预充的目的，提高了低阈值窗口下的感应速度。