专利详情

专利名称	一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法
申请号	CN201110061444.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102681335A	公开（授权）日	2012.09.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李海亮;谢常青;牛洁斌;朱效立;史丽娜;刘明
主分类号	G03F7/00(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/00(2006.01)I;G03F7/30(2006.01)I;G02B5/18(2006.01)I
专利有效期	一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法至一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法，该方法利用SU-8负性光刻胶形成衍射光学元件光刻胶图形，之后通过旋涂无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ，对样品进行X射线辐照使无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ转变为类石英，最后通过浓硫酸和双氧水的混合液去除SU-8负性光刻胶形成位相型衍射光学元件。该方法快速有效地去除了X射线曝光后的SU-8负性光刻胶，并且在X射线曝光的同时将HSQ转变为类石英，可以制备出石英底部非常光滑的位相型衍射光学元件。这种方法具有稳定可靠且与传统的光刻工艺相兼容的优点。