专利详情

专利名称	高性能半导体器件及其形成方法
申请号	CN200910243851.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102110609A	公开（授权）日	2011.06.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;骆志炯;朱慧珑
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I
专利有效期	高性能半导体器件及其形成方法至高性能半导体器件及其形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种制造半导体器件的方法，所述方法采用了先对源/漏极区进行热退火再进行反转Halo离子注入以形成反转Halo离子注入区的方式，通过先去除所述伪栅极，暴露所述栅极介质层以形成开口；而后从所述开口对衬底进行反转Halo离子注入，以在器件的沟道中形成反转Halo离子注入区；而后进行退火，以激活反转Halo离子注入区的掺杂；最后根据制造工艺的要求对器件进行后续加工。通过本发明能够避免反转Halo离子注入对栅堆叠的劣化，使得反转Halo离子注入能够应用于金属栅堆叠器件中，同时能够很好地降低和控制短沟道效应，从而提高器件性能。