具有改善的载流子迁移率的NMOS的制造方法
- 申请号：CN200910244132.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102110611A
- 公开(公开)日：2011.06.29
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 具有改善的载流子迁移率的NMOS的制造方法 | ||
| 申请号 | CN200910244132.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102110611A | 公开（授权）日 | 2011.06.29 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
| 专利有效期 | 具有改善的载流子迁移率的NMOS的制造方法 至具有改善的载流子迁移率的NMOS的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 通过直接在NMOS的源极区、漏极区上方的接触孔中形成具有拉应力性质的材料，例如钨，从而对NMOS器件的沟道区施加拉应力。而后去除所述NMOS器件的栅堆叠中的伪栅极层，以使栅堆叠对沟道区的反作用力进一步减小，从而提高沟道区域的拉应力，提高载流子的迁移率，改善器件的性能。本发明避免采用单独的应力层来改善NMOS器件沟道区的拉应力，有利地简化了器件制造工艺，同时改善了器件的尺寸和性能。 | ||
交易流程
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