专利详情

专利名称	一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法
申请号	CN201010595707.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102110595A	公开（授权）日	2011.06.29
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	郑婉华;彭红玲;渠宏伟;马绍栋
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法至一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法，包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片，去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀，得到带窄金属条的InGaAs外延片；采用等离子体刻蚀去除InGaAs外延片表面的光刻胶；清洗GaAs外延片，去除表面的有机物；将清洗干净的GaAs外延片与经过等离子体刻蚀的InGaAs外延片进行贴合，得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合，并进行热处理，以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄，并腐蚀掉键合的晶片的GaAs衬底。利用本发明，实现了InGaAs与GaAs的低温金属键合。