专利详情

专利名称	一种制备体硅围栅金属半导体场效应晶体管的方法
申请号	CN200910243780.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102110648A	公开（授权）日	2011.06.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	宋毅;周华杰;徐秋霞
主分类号	H01L21/8238(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种制备体硅围栅金属半导体场效应晶体管的方法至一种制备体硅围栅金属半导体场效应晶体管的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种基于准平面工艺制备体硅围栅纳米线MOSFETs的方法：局部氧化隔离或浅槽隔离，在体硅上垫积缓冲SiO2氧化层/SiN介质层，电子束曝光，刻蚀两个距离较近的凹槽，垫积SiN侧墙，各向同性刻蚀Si，干氧氧化，湿法刻蚀去除SiN，应力自限制氧化形成纳米线，垫积并各向异性刻蚀氧化物介质层，并平坦化表面，湿法刻蚀释放纳米线的同时保留底部足够厚SiO2作隔离，长栅介质和垫积栅材料，反刻栅并以栅介质为阻挡层各向同性刻蚀栅材料，源/漏浅注入，垫积和刻蚀侧墙，源/漏深注入，形成接触。本发明消除了自加热效应和浮体效应，并且易于集成，有利于抑制短沟道效应，推动MOSFETs尺寸往小尺寸方向发展。