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镁合金表面原位生长Mg-Al水滑石膜的成膜溶液及其应用

  • 申请号:CN201110057831.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院金属研究所
  • 公开(公开)号:CN102677038A
  • 公开(公开)日:2012.09.19
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 镁合金表面原位生长Mg-Al水滑石膜的成膜溶液及其应用
申请号 CN201110057831.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102677038A 公开(授权)日 2012.09.19
申请(专利权)人 中国科学院金属研究所 发明(设计)人 陈君;宋影伟;单大勇;韩恩厚
主分类号 C23C22/60(2006.01)I IPC主分类号 C23C22/60(2006.01)I;C23C22/73(2006.01)I
专利有效期 镁合金表面原位生长Mg-Al水滑石膜的成膜溶液及其应用 至镁合金表面原位生长Mg-Al水滑石膜的成膜溶液及其应用 法律状态 授权
说明书摘要 本发明涉及镁合金表面处理领域,具体地说是一种镁合金表面原位生长Mg-Al水滑石膜的成膜溶液,以及使用所述溶液在镁合金表面制备Mg-Al水滑石膜的方法。该成膜溶液包括前处理液和后处理液,前处理溶液是在饱和碳酸溶液中滴加含Al的碱性溶液所得,含Al的碱性溶液是将纯铝板放在室温至90℃的碱性溶液中溶解至饱和所得;后处理溶液是在前处理液基础上,用碱性溶液调节pH值所得;镁合金为含铝量低或不含铝的镁合金。采用两步法在镁合金表面原位生长水滑石膜:首先将镁合金样品浸泡在前处理溶液中,表面生长出前驱体膜;然后将前驱体膜放入后处理溶液中转变为水滑石膜。本发明可以克服原有方法不能在含铝量低和不含铝的镁合金表面原位生长Mg-Al水滑石膜的局限性。

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