专利详情

专利名称	一种增强LED出光效率的粗化方法
申请号	CN201010263076.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101976712A	公开（授权）日	2011.02.16
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	孙莉莉;闫建昌;王军喜;刘乃鑫;魏同波;魏学成;马平;刘喆;曾一平;王国宏;李晋闽
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	一种增强LED出光效率的粗化方法至一种增强LED出光效率的粗化方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种增强LED出光效率的粗化方法，用于对LED的ITO层、P型层、N型层和衬底背面进行纳米级粗化，以提高LED的出光效率，该方法包括：步骤1：在需要粗化的薄膜上旋涂光刻胶；步骤2：用氧等离子体刻蚀该光刻胶，在该需要粗化的薄膜上形成一层纳米尺寸胶点；步骤3：以形成的该纳米尺寸胶点为掩膜刻蚀该需要粗化的薄膜；步骤4：湿法去除光刻胶并清洗，完成薄膜的粗化。本发明提供的这种粗化方法，具有低温、低成本、低污染及与传统的LED工艺相兼容等优点，在LED领域具有广阔的应用前景。