专利详情

专利名称	用于拓展In_0.53Ga_0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备
申请号	CN201010292223.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101976696A	公开（授权）日	2011.02.16
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	顾溢;张永刚
主分类号	H01L31/10(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/10(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	用于拓展In_0.53Ga_0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备至用于拓展In_0.53Ga_0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备，采用禁带宽度大于In0.53Ga0.47As吸收层材料且大于常规InP的含铝砷化物材料作为上下接触层材料体系实现拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应。本发明采用宽禁带透明上接触层和下接触层材料体系，可以减小表面复合并提高量子效率，可利用分子束外延方法或金属有机物气相外延方法无需As/P切换而不间断生长，有利于在生长过程中保持平整的表面态，保证材料的高质量生长，可降低器件噪声，具有很好的通用性。

交易流程

1、源头对接，价格透明

2、平台验证，实名审核

3、合同监控，代办手续

4、专员跟进，交易保障

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