专利详情

专利名称	基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法
申请号	CN201010292303.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101976677A	公开（授权）日	2011.02.16
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘燕;宋志棠;凌云;龚岳峰;李宜谨
主分类号	H01L27/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/24(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L29/22(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I
专利有效期	基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法至基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及其制作方法。其结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的绝缘缓冲层；位于绝缘缓冲层上的多条字线；电连接于字线的多个ZnO肖特基二极管，分别位于每个ZnO肖特基二极管之上的第二导体层；分别位于每个第二导体层之上的相变存储层；电连接于相变存储层的多条位线，其中的ZnO肖特基二极管由第一导体层和n型ZnO多晶态薄膜组成。本发明采用由n型ZnO多晶态薄膜和金属层形成的ZnO肖特基二极管作为选通元件，使相变存储器具有更高的密度，更低的功耗和更高的性能，其制备方法采用原子层沉积n型ZnO多晶态薄膜的低温工艺，在成本上具有竞争力，更有望在三维堆栈相变存储器中得到广泛应用。