专利详情

专利名称	BSIMSOI4直流模型参数的确定方法
申请号	CN201010515128.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101976283A	公开（授权）日	2011.02.16
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈静;伍青青;罗杰馨;柴展;王曦
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	BSIMSOI4直流模型参数的确定方法至BSIMSOI4直流模型参数的确定方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种BSIMSOI4直流模型参数的确定方法，该方法通过提供若干不同尺寸的体引出结构MOSFET器件和浮体结构MOSFET器件；测量所有体引出结构MOSFET器件的Id-Vg-Vp、Id/Ip-Vd-Vg、Ig-Vg-Vd、Ig-Vp、Ip-Vg-Vd、Is/Id-Vp及Id/Ip-Vp-Vd特性，以及所有浮体结构MOSFET器件的Id-Vg-Vp、Id-Vd-Vg及Ig-Vg-Vd特性；并获取各个体引出结构MOSFET器件和浮体结构MOSFET器件的无自热效应的电学特性曲线；然后依次按照特定步骤提取BSIMSOI4模型的直流参数。本发明根据模型方程依次选择适当的测试曲线，逐步确定各类参数，从而可准确有效的提取出BSIMSOI4模型的直流参数。