
基于二氧化钛纳米棒阵列薄膜的柔性染料敏化太阳电池及其制备方法
- 申请号:CN201110079537.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院安徽光学精密机械研究所
- 公开(公开)号:CN102231332A
- 公开(公开)日:2011.11.02
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 基于二氧化钛纳米棒阵列薄膜的柔性染料敏化太阳电池及其制备方法 | ||
申请号 | CN201110079537.8 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102231332A | 公开(授权)日 | 2011.11.02 |
申请(专利权)人 | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 | 发明(设计)人 | 王时茂;邵景珍;陶汝华;董伟伟;邓赞红;周曙;朱新波;刘凤娟;方晓东 |
主分类号 | H01G9/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01G9/04(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I |
专利有效期 | 基于二氧化钛纳米棒阵列薄膜的柔性染料敏化太阳电池及其制备方法 至基于二氧化钛纳米棒阵列薄膜的柔性染料敏化太阳电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种基于二氧化钛纳米棒阵列薄膜的柔性染料敏化太阳电池,由柔性准一维光阳极、染料敏化剂、电解质和柔性对电极组成,所述的柔性准一维光阳极由外到内依次叠加着柔性透明导电基底、TiO2纳米颗粒薄膜层、TiO2纳米棒阵列薄膜层;所述的TiO2纳米颗粒薄膜层和柔性透明导电基底紧密接触;所述的TiO2纳米棒阵列薄膜层生长于TiO2纳米颗粒薄膜层上;染料吸附于所述的TiO2纳米棒阵列上。本发明的柔性染料敏化太阳电池具有提高电子传输速度,减少电子复合等优点,电池轻便、可折叠。 |
交易流程
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专利 -
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