专利详情

专利名称	一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备
申请号	CN201210131540.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102674366A	公开（授权）日	2012.09.19
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	吕佩文;黄丰;董建平;颜峰岥;林璋;黄嘉魁;黄顺乐
主分类号	C01B33/037(2006.01)I	IPC主分类号	C01B33/037(2006.01)I
专利有效期	一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备至一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备。该设备进料腔、石墨坩埚、水冷坩埚依次排列，高度逐渐降低；石墨坩埚使用石墨隔离带将坩埚分为熔化区与蒸发区，坩埚为整体加热，加热可使用石墨加热器或中频加热，结构简单；块状或粉末状硅原料由进料腔加入到石墨坩埚进行熔化，当硅水液面高于石墨隔离带后，硅水从熔化区流入到蒸发区；流经蒸发区的硅水流入到水冷坩埚内，完成浇铸。该设备可以在高真空条件下连续熔炼，去除硅中的O、P、N、S、Al、Ca等挥发性杂质。本发明具有高真空、高温、连续熔炼的技术特点，拥有能耗低、无耗材、成本低、易于操作与控制的优点。