专利详情

专利名称	一种原位等离子体清洗和键合晶片的设备
申请号	CN201220005989.1	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202434479U	公开（授权）日	2012.09.12
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	代盼;李鹏;黄寓洋;何巍;季莲;陆书龙;董建荣;杨辉
主分类号	H01L21/67(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/67(2006.01)I
专利有效期	一种原位等离子体清洗和键合晶片的设备至一种原位等离子体清洗和键合晶片的设备	法律状态
说明书摘要	本实用新型涉及一种晶片清洗、键合技术，尤其是指一种能高效率完成清洗和键合操作的原位等离子体清洗和键合晶片的设备。这种设备包括真空键合装置（110），还包括等离子体清洗装置，所述等离子体清洗装置与真空键合装置（110）连通。本实用新型的有益效果在于：将等离子体清洗和晶片键合过程并入到同一腔室中实施，同时实现有效、高质量的晶片清洗、去氧化层和键合。使用该技术进行基片键合，可以解决现有基片键合的污染问题，能够实现高性能的键合性能。