一种化学气相沉积装置
- 申请号：CN201010162506.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN101819925A
- 公开(公开)日：2010.09.01
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 一种化学气相沉积装置 | ||
| 申请号 | CN201010162506.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101819925A | 公开（授权）日 | 2010.09.01 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 段瑞飞;曾一平;王军喜;冉军学;胡国新;羊建坤;梁勇;路红喜;李晋闽 |
| 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种化学气相沉积装置 至一种化学气相沉积装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利用本发明，解决了现有化学气相沉积尤其是MOCVD装置单反应室一次生长结构材料导致的化学气相沉积装置复杂、沉积工艺复杂，受到影响因素较多，工艺可重复性差，可推广性差，同时工艺周期长，生产效率低下等问题。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言