一种“收/发”两用型PZT-Pb(Sb2/3Mn1/3)三元系压电陶瓷材料及其制备方法
- 申请号：CN201010188987.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN102260079A
- 公开(公开)日：2011.11.30
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种“收/发”两用型PZT-Pb(Sb2/3Mn1/3)三元系压电陶瓷材料及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201010188987.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102260079A | 公开（授权）日 | 2011.11.30 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李玉成;姚烈;董显林 |
| 主分类号 | C04B35/493(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/493(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01L41/24(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种“收/发”两用型PZT-Pb(Sb2/3Mn1/3)三元系压电陶瓷材料及其制备方法 至一种“收/发”两用型PZT-Pb(Sb2/3Mn1/3)三元系压电陶瓷材料及其制备方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明属于压电陶瓷领域，具体涉及一种“收/发”两用型PZT-Pb(Sb2/3Mn1/3)三元系压电陶瓷材料及其制备方法。该三元系压电陶瓷以锆钛酸铅和锑锰酸铅固溶体为主要成分，同时掺杂SiO2、Sm2O3、MnO3和CeO2添加物的至少3种。本发明压电陶瓷材料标准片的主要性能为：d33＝424pC/N，ε33T/εo＝1320，tanδ＝0.26％，kp＝0.63，Qm＝362。相比一般的“硬性”PZT压电陶瓷，本发明材料具有较高的压电应变常数d33和机电耦合系数kp，适中的介电常数和机械品质因数，是一种性能优良的“收/发”两用型压电陶瓷材料。 | ||
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