专利详情

专利名称	一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法
申请号	CN201010191154.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102260858A	公开（授权）日	2011.11.30
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	张广宇;时东霞;张连昌
主分类号	C23C16/26(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/26(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I
专利有效期	一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法至一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法，步骤为：A)基底材料放入等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔体中，抽真空，基底升温到400-600℃，通入碳氢化合物气体以及其它惰性气体，控制气体的气压不超过1Torr；B)开启等离子体电源，使碳氢化合物离化裂解成活性基团，在400-600℃的基底表面发生反应，实现石墨烯的直接生长。本发明解决了在非特异性基底表面直接生长高质量石墨烯的难题，无论是对探索石墨烯的大面积直接生长技术、理解石墨烯的生长机理、研究石墨烯的基础物理问题，还是对探索石墨烯薄膜的实际应用、拓展石墨烯的应用范围都具有重要意义。