专利详情

专利名称	用于提高带内相位噪声性能的锁相环频率综合器结构
申请号	CN201010191191.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102263554A	公开（授权）日	2011.11.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	黄水龙;王小松;刘磊;李东岳;张海英
主分类号	H03L7/08(2006.01)I	IPC主分类号	H03L7/08(2006.01)I;H03L7/18(2006.01)I;H03L7/187(2006.01)I
专利有效期	用于提高带内相位噪声性能的锁相环频率综合器结构至用于提高带内相位噪声性能的锁相环频率综合器结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于提高带内相位噪声性能的锁相环频率综合器结构，该锁相环频率综合器结构由粗调谐回路和精调谐回路两个环路构成，其中，该粗调谐回路用来选择不同的频率控制字，实现环路的频率锁定，该精调谐回路用来实现环路的相位锁定。在锁定状态时，粗调谐回路被关断，仅仅精调谐回路工作。利用本发明，解决了传统结构带内相位噪声受限于分频器的问题，通过引入精调谐回路，在锁定状态时有效减少了分频器的噪声，提高了锁相环频率综合器的带内相位噪声性能。