专利详情

专利名称	用于钠硫电池的阴极导电过渡层及包含其的钠硫电池
申请号	CN201210158420.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102664289A	公开（授权）日	2012.09.12
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	温兆银;胡英瑛;吴相伟;曹佳弟;吴梅芬;张敬超
主分类号	H01M10/39(2006.01)I	IPC主分类号	H01M10/39(2006.01)I;H01M4/66(2006.01)I
专利有效期	用于钠硫电池的阴极导电过渡层及包含其的钠硫电池至用于钠硫电池的阴极导电过渡层及包含其的钠硫电池	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及用于钠硫电池的阴极导电过渡层及包含其的钠硫电池，提供了一种用于钠硫电池的阴极导电过渡层，所述钠硫电池包括阳极、固体电解质、阴极、以及阴极导电网络，其中，所述阴极导电过渡层包括：多孔复合介质，所述多孔复合介质沿所述固体电解质表面设置，以在所述固体电解质表面实现所述阴极导电网络与所述固体电解质的良好接触；以及活性流体分布层，所述活性流体分布层设置在所述固体电解质与所述阴极之间，用以实现离子和电子的有效传输。还提供了一种包括上述阴极导电过渡层的钠硫电池。