专利详情

专利名称	一种双面冷却的功率半导体模块
申请号	CN201210153042.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102664177A	公开（授权）日	2012.09.12
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	钟玉林;苏伟;孟金磊;温旭辉
主分类号	H01L25/07(2006.01)I	IPC主分类号	H01L25/07(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I
专利有效期	一种双面冷却的功率半导体模块至一种双面冷却的功率半导体模块	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种双面冷却的功率半导体模块。所述的功率半导体模块（100）含有至少两个功率半导体芯片（107、106），其位于第一衬底（115）和第二衬底（103）之间。每个衬底均由三层结构组成：中间一层为高导热的电绝缘层，电绝缘层的上层和下层为金属层。所述的金属层含有电路结构，通过焊接实现功率半导体芯片、正极端子、负极端子、交流输出端子和栅极控制端子之间的互联。功率半导体芯片的栅极控制端子位于该芯片的中间或边角处。一块凹形冷却板倒扣安装在第一衬底（115）上的绝缘层（117）或第一金属层（215a）上，另一块平板状冷却板水平布置在第二衬底（103）下面。所述的功率半导体芯片的热量通过第一衬底（115）和第二衬底（103）传导至两块冷却板散热，从而实现双面冷却。