专利详情

专利名称	纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用
申请号	CN201110110342.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102169958A	公开（授权）日	2011.08.31
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	吕业刚;宋三年;宋志棠
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用至纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种纳米复合相变材料及其制备方法、以及在相变存储器中的应用。其中，所述纳米复合相变材料包含：摩尔百分比为70-99%的相变材料GeTe和摩尔百分比为1-30%的介质材料HfO2。相变材料GeTe与介质材料HfO2在纳米尺度内均匀复合，一方面抑制了相变材料的结晶，提升了材料的热稳定性，改善了材料的数据保持能力；另一方面因为介质材料的参与，使得有效编程体积减小，因而减小了相变单元结晶前后的体积变化和降低了RESET电流，这有助于存储器件的操作稳定性和实现低功耗。总之，这种新型纳米复合相变材料应用到存储器中，可使相变存储器件的RESET电压降低，编程体积减小，有利于实现高密度存储，提高相变存储器的编程过程中的加热效率，降低其功耗，提升数据保持能力等。