专利详情

专利名称	一种用于三维封装的多层混合同步键合结构及方法
申请号	CN201110042643.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102169845A	公开（授权）日	2011.08.31
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	于大全;王惠娟
主分类号	H01L21/60(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/60(2006.01)I;H01L21/603(2006.01)I;B23K1/00(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I
专利有效期	一种用于三维封装的多层混合同步键合结构及方法至一种用于三维封装的多层混合同步键合结构及方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种用于三维封装的多层混合同步键合结构及方法。所述方法包括：在一个待混合键合衬底的金属焊盘表面上形成硬金属锥形阵列；在另一个待混合键合衬底的金属焊盘表面上形成软金属层；在两个待混合键合衬底的非金属焊盘表面形成介电粘附层；将硬金属锥形阵列和软金属层对准，进行加热和加压后，使得锥形金属阵列插入到软金属层中，同时介电粘附层相互结合，形成一种混合预键合结构；再进行加热，使插入到软金属层中的锥形金属阵列形成金属间化合物，介电粘附层固化结合。与传统的键合方法相比，本发明方法成品率高，节省键合时间，降低成本，同时提高产品的可靠性。