专利详情

专利名称	低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法
申请号	CN201210154750.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102664236A	公开（授权）日	2012.09.12
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	饶峰;任堃;宋志棠
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法至低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法，所述环形电极结构包括：基底，具有金属层及绝缘层，绝缘层中具有一深度直达金属层的凹槽；钨材料，填充于凹槽内，其厚度小于凹槽的深度至一预设范围值，以使凹槽形成一底部为钨材料、侧壁为绝缘层的浅槽结构；导电薄膜材料，沉积于浅槽结构的表面，形成环形电极结构；绝热材料，填充于环形电极结构中并与绝缘层的上表面共平面；相变材料，覆盖于绝缘层的上表面及绝热材料上。本发明提供的低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法，解决了现有技术中相变存储器的相变材料中能量利用率低以及现有提高器件热效率的手段与传统的CMOS工艺不兼容等问题。