专利详情

专利名称	一种低温烧结的ZnO-Bi₂O₃-B₂O₃系压敏电阻材料及其制备方法
申请号	CN201010609755.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102167579A	公开（授权）日	2011.08.31
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	刘丰华;许高杰;段雷;李勇;崔平
主分类号	C04B35/453(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/453(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	一种低温烧结的ZnO-Bi₂O₃-B₂O₃系压敏电阻材料及其制备方法至一种低温烧结的ZnO-Bi₂O₃-B₂O₃系压敏电阻材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种低温烧结的ZnO-Bi2O3-B2O3系压敏电阻材料，由如下原料制成：ZnO、Bi2O3、TiO2、Co2O3、Cr2O3、MnCO3、NiO、Al2O3和硼的氧化物；相对于100重量份ZnO，所述的硼的氧化物的添加量以B2O3换算计为2.2～20重量份。该材料不含Sb2O3，烧结温度较低，电压敏综合性能优良。本发明还公开了该材料的制备方法，工艺简单易于操作。

交易流程

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4、专员跟进，交易保障

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