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氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜及其制备方法

  • 申请号:CN201010116594.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院
  • 公开(公开)号:CN102167278A
  • 公开(公开)日:2011.08.31
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜及其制备方法
申请号 CN201010116594.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102167278A 公开(授权)日 2011.08.31
申请(专利权)人 中国科学院合肥物质科学研究院 发明(设计)人 段国韬;罗媛媛;刘广强;张洪文;蔡伟平
主分类号 B81B7/00(2006.01)I IPC主分类号 B81B7/00(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I
专利有效期 氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜及其制备方法 至氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜及其制备方法。薄膜为衬底上置有有序六方排列的单层球阵列,其中的球由介质球及其外表面依次覆有的金膜和氧化锌纳米棒/锥构成,其中,介质球的外直径为1~30μm、金膜的厚度为5~50nm,氧化锌纳米棒/锥的棒/锥轴线垂直于球心,棒/锥长为200~800nm、棒/锥直径为80~160nm、锥的锥度为3~30度;方法为先将其上带有单层晶体模板的衬底置于压力为5~10Pa下离子溅射沉积金膜,得到金膜球阵列,再将金膜球阵列置于温度为60~80℃下的氧化锌电解液中,于沉积电流密度为-0.3~-2.0mA/cm2下采用三电极法电沉积30min~4h,制得氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜。薄膜可广泛地用于光电子器件、表面微流体、传感器等领域。

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