专利详情

专利名称	体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法
申请号	CN201110072207.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102147828A	公开（授权）日	2011.08.10
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈静;伍青青;罗杰馨;柴展;王曦
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法至体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种体引出结构的SOI场效应晶体管的等效电学模型及其建模方法，该等效电学模型由内部场效应晶体管和外部场效应晶体管并联组成，其中将所述体引出结构SOI场效应晶体管分为体引出部分和主体部分，内部场效应晶体管代表体引出部分的寄生晶体管，外部场效应晶体管代表主体部分的正常晶体管。本发明提出的等效电学模型完整地包括了体引出结构SOIMOSFET器件物理结构的各个部分，即体引出部分和主体部分对其电学特性的影响，提高了模型对器件电学特性的拟合效果。