专利详情

专利名称	一种电阻转换存储器结构及其制造方法
申请号	CN201110026033.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102148329A	公开（授权）日	2011.08.10
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;朱南飞;宋志棠;刘波;吴关平;张超;谢志峰;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种电阻转换存储器结构及其制造方法至一种电阻转换存储器结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法，该电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间的存储材料；所述存储材料与上、下电极的接触面积不等；所述下电极周围包覆有绝缘材料，下电极形成于该绝缘材料的夹缝中，其在垂直下电极表面方向的投影为条形，条形的长宽比大于3∶1；并且所述存储材料部分或者全部嵌在所述绝缘材料之中。本发明的存储器结构具有较高的密度、较低的功耗以及较为简单的工艺，因此在器件的性能和成本上都具有明显的优势。