专利详情

专利名称	一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正方法
申请号	CN201110082471.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102147567A	公开（授权）日	2011.08.10
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	罗海燕;陈岚;尹明会;赵劼
主分类号	G03F1/14(2006.01)I	IPC主分类号	G03F1/14(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I
专利有效期	一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正方法至一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及65纳米集成电路的制造工艺和版图设计技术领域，公开了一种基于Cell的层次化光学邻近效应校正(OPC)方法。该方法通过将层次化设计的概念引入到全芯片OPC修正过程中，将所有标准单元图形规则化，并在标准单元库构建的过程中对标准单元进行OPC，当全芯片版图得到以后，将其中的标准单元部分用OPC修正过的单元代替，从而不必再做全芯片打平方式的OPC，极大的降低了掩模数据存储量，有利于光刻分辨率增强，从而降低了生产误差，提高了芯片生产效率。