专利详情

专利名称	场效应晶体管手性传感器及其制备方法
申请号	CN201010224140.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101923065A	公开（授权）日	2010.12.22
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	潘革波;王亦;崔铮
主分类号	G01N27/414(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/414(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	场效应晶体管手性传感器及其制备方法至场效应晶体管手性传感器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了一种场效应晶体管手性传感器及其制备方法。该手性传感器利用场效应晶体管的结构，包括基底、栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极、漏电极，其特征在于：所述有源层为具有手性识别与检测功能的量子点材料。该有源层量子点材料为经过手性分子修饰的尺寸小于100nm的半导体纳米微晶体。本发明基于量子点场效应晶体管及其制法，将具有手性识别与检测功能的量子点薄膜作为场效应晶体管的有源层，实现一种能够检测手性物质的传感器。该种手性传感器还可以将经过荧光手性分子修饰的量子点制成薄膜，作为场效应晶体管有源层，避免了传统的均相荧光传感器检测手性分子的缺陷，实现更稳定的检测信号。