CMOS/MEMS兼容光谱式气敏传感器
- 申请号：CN200910080060.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN101839848A
- 公开(公开)日：2010.09.22
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | CMOS/MEMS兼容光谱式气敏传感器 | ||
| 申请号 | CN200910080060.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101839848A | 公开（授权）日 | 2010.09.22 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 景玉鹏;高超群 |
| 主分类号 | G01N21/17(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/17(2006.01)I;G01N21/35(2006.01)I |
| 专利有效期 | CMOS/MEMS兼容光谱式气敏传感器 至CMOS/MEMS兼容光谱式气敏传感器 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种CMOS/MEMS兼容光谱式气敏传感器，利用待测气体的近红外透射谱进行定性及定量分析。该传感器由红外光源、光子晶体色散棱镜、红外光电检测阵列等部分组成，采用参比结构，通过分析气体近红外透射谱的特征谱线位置来判定气体种类，并由相应的吸光度确定气体浓度。利用本发明，解决了现有MEMS气敏传感器工艺复杂、寿命短的缺点，具有高灵敏度探测能力，且其制作与CMOS工艺兼容，可批量生产，降低成本，并通过集成阵列分析气体浓度梯度。 | ||
交易流程
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