专利详情

专利名称	一种垂直喷淋式MOCVD反应器
申请号	CN201010168746.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101824606A	公开（授权）日	2010.09.08
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	王国斌;张永红;王怀兵;邱凯;朱建军;张宝顺;杨辉
主分类号	C23C16/18(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/18(2006.01)I;C23C16/00(2006.01)I
专利有效期	一种垂直喷淋式MOCVD反应器至一种垂直喷淋式MOCVD反应器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了一种垂直喷淋式MOCVD反应器，包括反应室、设于反应室顶部的喷淋头及其冷却水进、出口、设于反应室底部的衬底托、加热器及出气口，用于输入反应气体的进气口设于喷淋头之内，其特点是喷淋头腔体相隔形成三个以上独立区域，各独立区域分别设有各自独立的进气口；喷淋头的轴向中心贯穿设有一转轴，喷淋头与转轴联动；复数个衬底托相对孤立呈环状排布于反应室底部。本发明技术方案的应用，将反应气源分隔并依次喷淋，能有效消除气相寄生反应，同时反应后的尾气能迅速从各衬底托的空隙流走，被排出反应器，能有效消除积聚未散的尾气对反应气体扰流作用，提高了外延片的生长质量，并为实现无限增大装片容量提供了可能。