专利详情

专利名称	半导体非线性振荡系统中非线性信号的产生与识别方法
申请号	CN201110431424.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102495321A	公开（授权）日	2012.06.13
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王长;曹俊诚
主分类号	G01R31/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/00(2006.01)I;G01R19/00(2006.01)I
专利有效期	半导体非线性振荡系统中非线性信号的产生与识别方法至半导体非线性振荡系统中非线性信号的产生与识别方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种半导体非线性振荡系统中非线性信号的产生与识别方法，包括：提供具有负微分漂移速度效应的半导体纳米器件，将电压的直流电场作用于半导体纳米器件，使得半导体纳米器件产生电流振荡并进入周期性的自振荡状态，自振荡频率为；对半导体纳米器件再叠加作为激励的交流信号的交流电场；在稳定状态下，利用第一返回图中数据点的分布状况而识别出半导体非线性振荡系统中电流信号的运动状态；第一返回图是通过刻画电流密度Jm+1作为Jm的函数来获得的，其中Jm是系统在mTac时刻的电流密度采样值J(mTac)，Tac是外加交流信号的周期，Tac=1/fac。相较于现有技术，本发明具有操作简单、识别简便且准确的优点。