专利详情

专利名称	一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法
申请号	CN201010561133.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102479745A	公开（授权）日	2012.05.30
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	庞磊;陈晓娟;陈中子;罗卫军;袁婷婷;蒲颜;刘新宇
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法至一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法，包括如下步骤：在氮化镓微波单片集成电路芯片的二次介质Si3N4层上依次旋涂PMGI光刻胶层和AZ5214E反转光刻胶层，通过光刻、反转烘片、泛曝光完成光刻工艺；再通过两步显影形成金属场板层图案；，用金属蒸发台通过蒸发的方法形成Ti/Au场板金属层，之后用丙酮将光刻胶上的Ti/Au场板金属层进行剥离。本发明解决了场板制作光刻过程中光刻胶与Si3N4介质黏附性差的问题，保证了HEMT场板工艺的顺利进行，提高了MIM电容的良品率，实现了有源器件和无源器件工艺的良好兼容，能显著提高整个电路的成品率和性能。