专利详情

专利名称	选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法
申请号	CN201110415079.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102496853A	公开（授权）日	2012.06.13
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	张灿;朱洪亮;梁松;马丽
主分类号	H01S5/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/12(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I
专利有效期	选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法至选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在InP衬底上制作两条介质掩膜图形，该两条介质掩膜图形分别包括A段、B段和过渡区；步骤2：在制作有介质掩膜图形的衬底上外延生长多量子阱有源区；步骤3：在多量子阱有源区上制作均匀光栅；步骤4：腐蚀去掉介质掩膜图形对应的介质掩模，在光栅层上依次生长InP包层和电接触层；步骤5：在介质掩膜图形的A段和B段之间刻蚀电隔离区，刻蚀深度到达InP包层的表面；步骤6：电接触层上刻蚀脊波导结构；步骤7：在脊波导结构上蒸镀正面电极；步骤8：将InP衬底减薄，在减薄的InP衬底背面蒸镀背面电极；步骤9：在管芯一端蒸镀抗反射薄膜，另一端蒸镀高反射膜，完成自脉动器件管芯的制作。