专利详情

专利名称	光学曝光方法及其用于制备硅材料竖直中空结构的方法
申请号	CN201110363182.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102495526A	公开（授权）日	2012.06.13
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	顾长志;田士兵;李俊杰;夏晓翔;杨海方
主分类号	G03F7/20(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/20(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/30(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	光学曝光方法及其用于制备硅材料竖直中空结构的方法至光学曝光方法及其用于制备硅材料竖直中空结构的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种用于形成微纳空穴结构的光学曝光方法，包括以下步骤：1)选取具有掩膜图形的掩膜板，所述掩膜图形为能通过光照产生泊松亮斑的几何实心图形或其阵列；2)将掩膜板设置于待曝光的正光刻胶的上方进行曝光，其中图形阴影部分后的泊松亮斑同样曝光；3)显影，在所述正光刻胶上得到具有与所述泊松亮斑相应的空穴的图形。通过该方法可以制备出长径比为可控的硅管状结构阵列，这种曝光技术不仅大大提高实验室光学掩膜曝光的极限尺寸，并突破了利用干涉曝光只能得到周期型线条和点阵的局限，大大节约了成本以及丰富了试验工艺。这种结构在光子晶体、滤波器件以及径向p-n结太阳能电池领域均有广阔的应用前景。