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一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的装置及方法

  • 申请号:CN201110447744.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
  • 公开(公开)号:CN102492984A
  • 公开(公开)日:2012.06.13
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的装置及方法
申请号 CN201110447744.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102492984A 公开(授权)日 2012.06.13
申请(专利权)人 中国科学院物理研究所 发明(设计)人 杨芳;汪志明;石刘;冯加贵;郭建东
主分类号 C30B23/02(2006.01)I IPC主分类号 C30B23/02(2006.01)I;C30B29/32(2006.01)I
专利有效期 一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的装置及方法 至一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的装置及方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法,包括:1)在氧气氛中于SrTiO3衬底的(110)面上共沉积Ti和Sr,同时对样品进行反射式高能电子衍射的原位实时监测;2)根据反射式高能电子衍射的特征衍射条纹的亮度变化来调整Ti和Sr的束流比例,使薄膜表面的重构与衬底表面的重构相同。

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