专利详情

专利名称	用于相变存储器的Sb₂Te_x-SiO₂纳米复合相变材料及制备方法
申请号	CN201010569991.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102487119A	公开（授权）日	2012.06.06
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;朱敏;吴良才;饶峰;张挺
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	用于相变存储器的Sb₂Te_x-SiO₂纳米复合相变材料及制备方法至用于相变存储器的Sb₂Te_x-SiO₂纳米复合相变材料及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于相变存储器的-纳米复合相变材料，该材料由相变材料与复合而成，其化学式为，其中,。本发明通过在相变材料中掺入，使得具有可逆相变能力的相变材料被非晶态隔离成纳米尺度的区域，形成复合结构；提升了相变材料的电阻率和结晶温度，降低了相变材料热导率。相变材料的晶态电阻的增加，可以降低相变存储器件的Reset电流，从而克服了相变材料Reset电流过大的障碍；结晶温度的升高可以提升-相变材料器件的稳定性，熔化温度的下降则有效降低了其功耗；而热导率的降低，则可以提高能量的利用率。

交易流程

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2、平台验证，实名审核

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4、专员跟进，交易保障

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