专利详情

专利名称	双通道射频MEMS开关及其制造方法
申请号	CN201110257242.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102486972A	公开（授权）日	2012.06.06
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	熊斌;刘米丰;王跃林
主分类号	H01H1/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01H1/00(2006.01)I;H01H1/58(2006.01)I;H01H3/32(2006.01)I;H01H11/00(2006.01)I
专利有效期	双通道射频MEMS开关及其制造方法至双通道射频MEMS开关及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种双通道射频MEMS开关及其制造方法，该双通道射频MEMS开关包括一具有多个引脚的基座，一设置在该基座上的衬底以及一设置在该衬底上的可动微机械结构。衬底上具有两个微波传输线及锚点，可动微机械结构是由折叠梁、直梁、上电极、连接梁及触点构成。本发明可利用左右两对独立的驱动电极对单个可动微机械结构驱动来实现对两个微波传输线进行各自独立的控制，组成多种传输模式。同时依靠利用折叠梁的扭转来实现开关断开与闭合、控制折叠梁的厚度及缩短驱动电极间距三种手段，能够使双通道射频MEMS开关的驱动电压低于5V。此外，本发明采用键合技术制作的单晶硅折叠梁，消除了因残余应力发生的翘曲现象，提高成品率。